版图寄生计算
按走线段累加寄生电阻与对衬底电容：M1~M9/M_user 金属层预设（方块电阻与单位衬底电容均可手改）、温度修正，支持所有段同电流或逐段独立电流，实时显示段阻值/电容/压降与最差段瓶颈。
方块数 n□ = L/W ｜ 段阻值 Ri = Rs·n□ ｜ 总阻抗 Rtot = ΣRi ｜ 对衬底电容 Ci = L·W·Csub ｜ 压降 V = I·R ｜ 总压降 = Σ(Ii×Ri) ｜ 温度修正 R(T) = R·(1+α·(T−27°C)×10⁻⁶)
| 段 | 层 | 长度 L (µm) | 宽度 W (µm) | Rs (mΩ/□) | Csub (fF/µm²) | 方块数 n□ | 段阻值 | 对衬底电容 | 占比 | 压降 |
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模型假设：
- 纯直流方块电阻模型：R = Rs·(L/W)，不含趋肤效应、电感与转角修正；温度按 R(T) = R·(1+α·(T−27°C)×10⁻⁶) 线性修正（默认 α = 3000 ppm/°C）。
- 对衬底电容按平板电容近似：Ci = L·W·Csub（走线面积 × 单位面积电容），仅含底板电容，不含边缘 / 侧壁电容与层间耦合。
- 「层」下拉提供 M1~M9 典型量级的方块电阻与单位衬底电容预设（越厚的高层 Rs 与 Csub 越低），选择后自动带出默认值，仍可按工艺手册手改（手改后层标记为 M_user）。
- 电流设置两种模式：所有段电流相同（串联模型，总压降 = I×Rtot）；各段电流不同（如树状供电路径，逐段填写电流，总压降 = Σ(Ii×Ri)，可先用「统一填充」赋初值再逐段微调）。
- 过孔 / 接触电阻可作为一段加入：令 L = W（方块数 = 1），Rs 直接填单个过孔 / 接触的电阻值（单位 mΩ），Csub 留空即不计电容。
- 填入电流后，压降最大的走线段会红色高亮，并在表格上方显示瓶颈提示。