滤波器设计
选择架构与目标频率，按版图密度给出最小面积 RC 取值（可直接修改任一器件值联动重算），实时绘制幅频曲线与电阻热噪声性能。
RC: fc = 1/(2πRC) ｜ 最小面积: R* = √(ρR/(2πfc·ρC)) ｜
噪声: en = √(4kTR)，Vn,rms = √(∫4kTR·|H(f)|²df)
当前电路图
设计结果
| 器件 | 取值 | 面积 (µm²) |
|---|
幅频特性 |H(f)| (dB)
输出噪声谱密度 √(Σ4kTRᵢ)·|H(f)|（nV/√Hz，对数轴）
模型假设（工程估算）：
- 每个电阻的热噪声经主路径 |H(f)| 到达输出（各噪声源功率叠加）。
- 积分噪声为绘图频段内的数值积分（fref/100 ~ fref×100）；高通类实际带宽受运放限制，结果偏保守。
- Sallen-Key 采用单位增益 Butterworth 设计（低通等 R、C1=2C2；高通等 C、R2=2R1）。
- RC-CR 带通使用理想电压跟随器隔离两级，传递函数为两级乘积；噪声估算不含运放；MFB 中频增益固定为 -1、C1=C2。
- 双 T 带阻：R3=R/2、C3=2C（可用单位件串/并联实现），Q 固定为 1/4，f0 处理想陷波。
- 面积 = ΣRᵢ/ρR + ΣCᵢ/ρC，仅比较 RC 无源部分，不含运放。
当前电路图
反算结果
幅频特性 |H(f)| (dB)
输出噪声谱密度 √(Σ4kTRᵢ)·|H(f)|（nV/√Hz，对数轴）
模型假设（反算通用式，不假设器件配比）：
- RC 一阶：fc = 1/(2πR1C1)；SK 低通：H = 1/(1+jωC2(R1+R2)+(jω)²R1R2C1C2)；SK 高通：H = (jω)²R1R2C1C2/(1+jωR1(C1+C2)+(jω)²R1R2C1C2)。
- MFB 带通：f0 = √(G12/(R3C1C2))/2π（G12 = 1/R1+1/R2），Q = ω0C1C2R3/(C1+C2)，中频增益 H0 = −C1R3/(R1(C1+C2))；运放按理想（增益带宽 ∞）处理。
- RC-CR 带通使用理想电压跟随器隔离两级，传递函数为两级乘积；噪声估算不含运放；双 T 带阻按标称配比（R3=R/2、C3=2C），Q 固定 1/4。
- 噪声口径：en = √(Σ4kTRᵢ)·|H(f)|，ΣRᵢ 为全部电阻之和（双 T 为 2.5R）；积分噪声为绘图频段（fref/100 ~ fref×100）内的数值积分。