Bandgap 带隙基准设计计算集
核心参数链求解 + Trim 位设计 + VBE(T)/ΔVBE 计算 + 常用换算，基于一阶工程近似。
ΔVBE = (kT/q)·ln(N) ｜ VREF = VBE + K·ΔVBE ｜
K = R2/R1 = (VREF−VBE)/ΔVBE ｜ R1 = ΔVBE/IPTAT
输入参数
×
V
µA
V
K
计算结果
VREF（实际）-
ΔVBE-
系数 K = R2/R1-
R1-
R2-
零温漂所需 KTC-
残余温漂 dVREF/dT（一阶）-
零温漂判据（K vs KTC）
-
零温漂条件：K·d(ΔVBE)/dT = −dVBE/dT。取 dVBE/dT ≈ −2 mV/K、
d(ΔVBE)/dT = (k/q)·ln(N)。若实际 K 与 KTC 相差较大，说明 VREF 或 N 需调整。
Trim 范围 = ±3σ ｜ 步数 = ⌈6σ / LSB⌉ ｜ 位数 N = ⌈log2(步数)⌉ ｜ 档数 = 2N
输入参数
mV
mV
V
计算结果
Trim 范围 (±3σ)-
所需步数-
Trim 位数-
实际档数 2ᴺ-
校准后残差 (ppm)-
二进制加权电阻网络分档表
| 位 | 权重 | 修调量 (mV) | 累计范围 (mV) |
|---|
VT = kT/q ｜ ΔVBE = VT·ln(N) ｜ VBE(T) ≈ VBE0 + (dVBE/dT)·(T−27°C)
输入参数
°C
×
V
mV/K
计算结果
热电压 VT-
ΔVBE-
VBE(T)-
d(ΔVBE)/dT-
ppm ↔ mV
V
ppm
mV
dB ↔ 倍数
dB
×
ln(N) & ΔVBE @300K 速查表
| N | ln(N) | ΔVBE (mV) |
|---|